[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法

摘要

本发明涉及二极管技术领域，具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法；包括以下步骤：将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装；本发明具有较宽的工作温度，能在极限温度下稳定工作，相同外形尺寸下可提升80％左右的瞬态功率，使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率，具有较高的市场推广价值。 1

主权项

1.一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片；

(2)将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合；

(3)将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆，链式高温下成型，完成封装成型；

(4)将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接，切除引线后实现玻璃钝化表贴封装。

2.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，所述的电极引线为钨。

3.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，所述的焊料为铝。

4.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，所述封装，采用贴片式封装。

5.如权利要求1所述的玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法，其特征在于，所述瞬态电压抑制二极管，为U型表贴封装结构。