[发明专利]一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法在审
申请号: | 201711450070.7 | 申请日: | 2017-12-27 |
公开(公告)号: | CN108172514A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 古进;迟鸿燕;张丽;寿强亮;吴王进;黄玉恒 | 申请(专利权)人: | 中国振华集团永光电子有限公司(国营第八三七厂) |
主分类号: | H01L21/329 | 分类号: | H01L21/329;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/373 |
代理公司: | 贵阳睿腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人: | 谷庆红 |
地址: | 550018 贵州省*** | 国省代码: | 贵州;52 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 玻璃钝化 表贴 瞬态电压抑制二极管 瞬态功率 钝化 芯片 焊料 二极管技术 产品表面 电极引线 电极组件 封装玻璃 封装成型 焊料熔焊 市场推广 蒸发金属 电极片 硅片 粉浆 化层 键合 链式 裂片 涂覆 轴向 焊接 成型 切除 制造 清洗 腐蚀 扩散 | ||
本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法;包括以下步骤:将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片;将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合;将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆,链式高温下成型,完成封装成型;将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接,切除引线后实现玻璃钝化表贴封装;本发明具有较宽的工作温度,能在极限温度下稳定工作,相同外形尺寸下可提升80%左右的瞬态功率,使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率,具有较高的市场推广价值。
技术领域
本发明涉及二极管技术领域,具体涉及一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法。
背景技术
随着高端整机用户配套工程向小型化、集成化、高密度化的发展趋势,用户对高可靠表贴器件的使用量增加,二极管的使用也日趋普及,瞬态电压抑制二极管是一种稳压二极管形式的高效瞬态电压保护器件,当瞬态抑制二极管受到反向瞬态高能量冲击时,其工作阻抗能立即降至很低的导通值,从而吸收较大的浪涌脉冲功率,并将电压箝制到预定水平,有效地保护电子线路中的精密关键元器件,避免高压浪涌脉冲对器件造成损坏,因此瞬态吸收功率是此类器件的重要技术指标。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法。
本发明通过以下技术方案得以实现。
一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法,包括以下步骤:
(1)将扩散蒸发金属化层的硅片通过裂片的方式获得规定尺寸的芯片;
(2)将电极引线与芯片之间通过焊料熔焊键合;
(3)将电极组件通过腐蚀、清洗、钝化后在产品表面涂覆钝化封装玻璃粉浆,链式高温下成型,完成封装成型;
(4)将轴向产品与电极片通过特制焊料在高温下进行焊接,切除引线后实现玻璃钝化表贴封装。
所述的电极引线为钨。
所述的焊料为铝。
所述封装,采用贴片式封装。
所述瞬态电压抑制二极管,为U型表贴封装结构。
进一步,单向吸收瞬态功率采用单颗管芯实现,双向吸收瞬态功率采用两个管芯实现。
综上所述,本发明有益效果在于:本发明采用U型玻璃钝化表贴封装,相对于传统的轴向器件而言,具有更易于安装的特点,同时采用玻璃钝化封装,具有较宽的工作温度,能在极限温度下稳定工作,在电极材料的选取上,采用钨电极代替传统的钼电极作为电极材料,由于钼的散热能力较差,采用钼电极制造的器件瞬态功率不高,而金属钨的散热能力明显优于钼,采用钨电极制造的玻璃钝化瞬态电压抑制二极管,可以大幅提升器件的瞬态功率,相同外形尺寸下可提升 80%左右的瞬态功率,使产品在较小的封装尺寸下具有较大的瞬态功率,具有较高的市场推广价值。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1:玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管结构图;
具体实施方式
下面对本发明的优选实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
一种玻璃钝化表贴封装瞬态电压抑制二极管的制造方法,包括以下步骤:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造