[发明专利]一种QLED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201711445296.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN109980052B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 李泽伟;曹蔚然 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文;刘文求 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括阴极和阳极及设置在所述阴极和阳极之间的电子传输层和量子点发光层，所述电子传输层为Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列，所述Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列相对于阴极表面垂直排列；所述量子点发光层材料为量子点，所述量子点生长于Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒的顶端。本发明量子点发光层产生的光能够更集中地、损耗更低地通过Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒的轴向传导，并由器件阴极出光，从而极大地提高了器件的发光效率和亮度。本发明可以根据不同粒径的量子点，通过控制Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒的直径以及阵列中相邻纳米棒的间距，间接地精准控制量子点之间的间距，从而实现QLED器件性能的最优化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 qled 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，包括阴极和阳极及设置在所述阴极和阳极之间的电子传输层和量子点发光层，其特征在于，所述电子传输层为Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列，所述Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒阵列相对于阴极表面垂直排列；所述量子点发光层材料为量子点，所述量子点生长于Ⅱ‑Ⅳ族半导体纳米棒的顶端。
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