[发明专利]恒流器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201711444907.7 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108183129A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 乔明;赖春兰;肖家木;李路;方冬;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/082;H01L21/331 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种恒流器件及其制造方法，包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型掺杂衬底、N型外延层、扩散P型阱区，还包括N型掺杂外延层中的介质深槽、P型掺杂区、N型耗尽型沟道区，介质深槽以及位于介质深槽底部和侧壁的P型掺杂区使得器件的侧壁实现隔离；本发明恒流器件将器件元胞区与边缘缺陷通过引入槽终端的方式相隔离，从而避免了衬底PN结边缘缺陷所导致的反向不耐压问题；通过槽内垂直注入形成PN结的方式实现槽终端与PN结终端结合，在外延厚度较厚的情况下实现终端隔离；在衬底有源区中注入N型掺杂再外延，并在N型掺杂外延层内推阱形成扩散P型阱区，两个扩散阱区之间形成导电沟道，制造工艺简单，成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 恒流器件 衬底 深槽 终端 隔离 扩散 侧壁 元胞 边缘缺陷 导电沟道 器件元胞 依次连接 制造工艺 沟道区 耗尽型 通过槽 引入槽 内推 源区 阱区 制造 垂直 | ||
【主权项】：
1.一种恒流器件，包括多个结构相同并依次连接的元胞，每个元胞包括P型重掺杂衬底(2)、N型掺杂外延层(3)、位于N型掺杂外延层(3)之中的扩散P型阱区(4)，所述扩散P型阱区(4)为两个并分别位于每个元胞的两端，位于扩散P型阱区(4)内部的第一P型重掺杂区(5)和N型重掺杂区(7)，第一P型重掺杂区(5)位于N型重掺杂区(7)的两侧，N型掺杂外延层(3)和扩散P型阱区(4)上表面设有氧化层(10)，元胞还包括覆盖整个元胞上表面的金属阴极(9)、位于P型重掺杂衬底(2)下表面的金属阳极(8)，所述第一P型重掺杂区(5)、N型重掺杂区(7)和金属阴极(9)形成欧姆接触，所述P型重掺杂衬底(2)和金属阳极(8)形成欧姆接触，其特征在于：还包括N型掺杂外延层(3)中的介质深槽(12)、位于介质深槽(12)底部以及侧壁的P型掺杂区(14)、位于N型重掺杂区(7)和N型掺杂外延层(3)之间且嵌入扩散P型阱区(4)上表面的N型耗尽型沟道区(6)，所述氧化层(10)位于N型掺杂外延层(3)和N型耗尽型沟道区(6)上表面，所述位于N型掺杂外延层(3)中的介质深槽(12)以及位于介质深槽(12)底部和侧壁的P型掺杂区(14)使得器件的侧壁实现隔离。
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