[发明专利]单片集成半导体结构

摘要

本发明涉及单片集成半导体结构。具体地，本发明涉及一种包含下列层结构的单片集成半导体结构：A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAlyGazNtPv的层，C)具有组成BxAly‑GazInuPvSbw的松弛层，D)任选地具有组成BxAlyGazInuPvSbwNt的用于阻断失配位错的层，E)任选地具有组成BxAlyGazInuPvSbwNtAsr的用于异质偏移的层，和F)任意的优选第III/V族的半导体材料或几种不同的任意半导体材料的组合，其中所有第III族元素的上述化学计量指数的总和始终为1，和其中所有第V族元素的上述化学计量指数的总和也始终为1。

主权项

1.单片集成半导体结构，包括下面的层结构；A)基于掺杂的或未掺杂的Si的载体层，B)任选地具有组成BxAlyGazNtPv的层，其中x＝0‑0.1，y＝0‑1，z＝0‑1，t＝0‑0.1和v＝0.9‑1，C)具有组成BxAlyGazInuPvSbw的松弛层，其中x＝0‑0.1，y＝0‑1，z＝0‑1，u＝0‑1，v＝0‑1和w＝0‑1，其中w和/或u在朝向层A)或B)的一侧小于、等于或大于其在背离层A)或B)的一侧，并且在松弛层内可变或恒定不变，其中v＝1‑w和/或y＝1‑u‑x‑z，D)任选地用于阻挡失配位错的层，其具有组成BxAlyGazInuPvSbwNt，其中x＝0‑0.1，y＝0‑1，z＝0‑1，u＝0‑1，v＝0‑1，w＝0‑1和t＝0‑0.1，E)任选地用于异质偏移的层，其具有组成BxAlyGazInuPvSbwNtAsr，其中x＝0‑0.1，y＝0‑1，z＝0‑1，u＝0‑1，v＝0‑1，w＝0‑1，t＝0‑0.1和r＝0‑1，和F)任意的、优选第III/V族的半导体材料或几种不同的任意半导体材料的组合，其中所有第III族元素的上述化学计量指数的总和始终为1，且其中所有第V族元素的上述化学计量指数的总和也始终为1。