[发明专利]用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术

摘要

本发明“用多靶射频磁控溅射法制备超薄CdTe太阳电池的技术”属于新型太阳电池的结构设计和制备之技术领域。CdTe是II‑VI族化合物半导体材料。常温下，其带隙为1.5eV，非常适合作为太阳电池中的光吸收层。理论上，1微米厚CdTe的作为吸收层的太阳电池，转换效率就能超过30%。现今CdTe太阳电池，主要采用n‑p架构模式，即CdS/CdTe薄膜太阳电池，且已经推向市场。其主要采用近空间升华法、物理气相输运法等制备CdTe薄膜。但这样制备出来的CdTe通常有3~5微米厚。使得材料损耗上及成本控制上，都不经济。本发明旨在使用多靶射频磁控溅射法，分别在TCO玻璃上，先后溅射n型层（如CdS）、p型层(CdTe)薄膜，其厚度分别为10纳米、900纳米。之后经过退火后处理，再溅射背接触层及背电极。

主权项

1.本专利的特征是利用多靶射频磁控溅射技术，制备新型超薄的CdTe基薄膜太阳电池的新技术，包括：新型超薄的CdTe基薄膜太阳电池的结构；新型超薄的CdTe基薄膜太阳电池的多靶磁控溅射技术制备细节。