[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

摘要

本发明的半导体器件在区域1C中包括由SOI衬底的半导体层制成的顶部电极、由绝缘层制成的电容绝缘膜、由支撑板制成的底部电极、以及底部电极耦合到支撑板的引线部分(n型的高浓度杂质区域)。区域1B中的SOI晶体管形成在绝缘层(作为薄膜)之上的半导体层的主表面之上，并且可以通过向被布置在绝缘层的背面侧上的阱施加电压来调节阈值电压。

主权项

1.一种半导体器件，包括：SOI衬底，所述SOI衬底是具有第一有源区域和第二有源区域的SOI衬底，所述第一有源区域和所述第二有源区域各自被元件隔离区域包围，并且所述SOI衬底具有支撑板、形成在所述支撑板之上的绝缘层以及形成在所述绝缘层之上的半导体层；形成在所述第一有源区域中的电容元件；以及形成在所述第二有源区域中的第一MISFET，其中所述第一MISFET包括：第一栅极电极，经由第一栅极绝缘膜形成在所述第二有源区域中的所述半导体层之上；以及第一源极/漏极区域，形成在所述第二有源区域中的所述第一栅极电极的两侧的所述半导体层中，并且其中所述电容元件包括：在所述第一有源区域中由所述半导体层制成的顶部电极；在所述第一有源区域中由所述绝缘层制成的电容绝缘膜；在所述第一有源区域中由所述支撑板制成的底部电极，以及所述底部电极的引线部分，被提供在所述第一有源区域中的所述绝缘层中的开口中并且耦合到所述支撑板。