[发明专利]一种热调硅锗光电探测结构有效
| 申请号： | 201711437302.5 | 申请日： | 2017-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108063144B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 王磊;肖希;陈代高;李淼峰;张宇光;胡晓;冯朋;余少华 | 申请（专利权）人： | 武汉邮电科学研究院 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 武汉智权专利代理事务所(特殊普通合伙) 42225 | 代理人： | 彭程程 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种热调硅锗光电探测结构，涉及光通信集成器件领域，设置于硅基光子集成芯片中，所述硅基光子集成芯片包括衬底硅、覆盖在衬底硅顶面的埋氧层、以及覆盖在埋氧层顶面的覆盖层，所述热调硅锗光电探测结构包括：硅锗探测器，其设置于所述埋氧层顶面，且位于所述覆盖层内；加热装置，其包括设置于所述覆盖层内的加热器，且所述加热器加热时，能改变所述硅锗探测器的温度。本发明通过加热装置改变硅锗探测器的温度，避免硅锗探测器在较长波长的响应度发生劣化，实现波长平坦的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 热调硅锗 光电 探测 结构 | ||
【主权项】：
1.一种热调硅锗光电探测结构，设置于硅基光子集成芯片中，所述硅基光子集成芯片包括衬底硅、覆盖在衬底硅顶面的埋氧层、以及覆盖在埋氧层顶面的覆盖层，其特征在于，所述热调硅锗光电探测结构包括：硅锗探测器，其设置于所述埋氧层顶面，且位于所述覆盖层内；加热装置，其包括设置于所述覆盖层内的加热器，且所述加热器加热时，能改变所述硅锗探测器的温度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
