[发明专利]沟槽型联栅晶体管及其制作方法

摘要

本发明涉及一种沟槽型联栅晶体管及其制作方法。所述沟槽型联栅晶体管包括N型衬底、在所述N型衬底上形成的N型外延层、在所述N型外延层表面形成的P型基区、贯穿所述P型基区的多个沟槽、在所述多个沟槽内壁形成的P型高掺杂区、在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成的TEOS氧化层、贯穿所述TEOS氧化层且对应所述P型基区的开口、形成于所述沟槽中与所述开口中的多晶硅、在所述P型基区的表面形成的N型区域、在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成的正面金属、及在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成的背面金属。

主权项

一种沟槽型联栅晶体管的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下步骤：提供N型衬底，在所述N型衬底上形成N型外延层，在所述N型外延层表面形成P型基区，形成贯穿所述P型基区的多个沟槽，在所述多个沟槽内壁形成P型高掺杂区，在所述P型基区及所述P型高掺杂表面形成TEOS氧化层；利用光刻胶对所述TEOS氧化层进行刻蚀，从而在所述TEOS氧化层中形成贯穿且对应所述P型基区的开口；去除所述光刻胶，在所述TEOS氧化层上及所述开口处的P型基区上形成多晶硅，所述多晶硅具有N型杂质；对所述多晶硅进行平坦化技术，从而去除沟槽外侧的部分多晶硅，使得所述沟槽中与所述开口中的多晶硅被保留；对所述多晶硅中的N型杂质进行激活与推进，使得所述N型杂质扩散至所述P型基区表面，从而在所述P型基区的表面形成N型区域；使用光刻胶进行刻蚀去除所述P型高掺杂区上的部分TEOS氧化层；在所述TEOS氧化层、所述P型高掺杂区及所述多晶硅上形成正面金属，在所述N型衬底远离所述N型外延层一侧形成背面金属。