[发明专利]一种垂直结构的氮化镓功率二极管器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201711422454.8 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108198865B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | 康玄武;刘新宇;郑英奎;黄森;王鑫华;魏珂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 赵永刚 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种垂直结构的GaN功率二极管器件制作方法，其中包括：步骤一、提供衬底，提供在衬底上的外延层，并在外延层上生长反型掺杂外延层；步骤二、图形化刻蚀反型掺杂外延层，形成凹槽；步骤三、在器件表面再生长外延层，并填充凹槽；步骤四、在器件表面淀积第一阳极金属层，在反型掺杂外延层区域图形化第一阳极金属，制作欧姆合金；步骤五、在器件正表面淀积第二阳极金属层，并在器件背面制作阴极。本发明还提供一种垂直结构的GaN功率二极管器件。本发明能够GaN基功率二极管在更高电流和功率环境下的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 结构 氮化 功率 二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构的GaN功率二极管器件制作方法，其特征在于，包括：步骤一、提供衬底，提供在所述衬底上的外延层，并在所述外延层上生长反型掺杂外延层；步骤二、图形化刻蚀所述反型掺杂外延层，形成凹槽；步骤三、在所述器件表面再生长所述外延层，并填充所述凹槽；步骤四、在所述器件表面淀积第一阳极金属层，在所述反型掺杂外延层区域图形化所述第一阳极金属，制作欧姆合金；步骤五、在所述器件正表面淀积第二阳极金属层，并在所述器件背面制作阴极。
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