[发明专利]一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201711415243.1 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108183000A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;杨勇;姚婷婷;金克武;李刚;沈洪雪;彭赛奥;汤永康;金良茂;甘治平;马立云 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗基底并吹干；S2、通过磁控溅射工艺在基底表面沉积下TCO膜层；S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球，聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布；S4、通过磁控溅射工艺，在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属；S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球，得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层；S6、通过磁控溅射工艺，在金属层顶面沉积上TCO膜层，得到所述透明导电薄膜；利用聚苯乙烯微球作为模板，进而溅射出特殊结构的金属层，能有效的提高整个膜系的导电性和耐弯折性，同时可以减少TCO膜层的厚度，节约材料成本；并且使整个膜系透过率良好。 | ||
| 搜索关键词： | 聚苯乙烯微球 磁控溅射工艺 金属层 多层透明导电薄膜 矩形阵列 耐弯折 膜系 沉积 制备 透明导电薄膜 导电性 半球形凹坑 表面分布 表面制备 超声清洗 沉积金属 基底表面 节约材料 耐弯折性 有机溶剂 透过率 旋涂法 吹干 单层 顶面 基底 溅射 去除 清洗 | ||
【主权项】：
1.一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗基底并吹干；S2、通过磁控溅射工艺，在基底表面沉积下TCO膜层；S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球，聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布；S4、以聚苯乙烯微球为模板，通过磁控溅射工艺，在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属；S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球，得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层；S6、通过磁控溅射工艺，在金属层顶面沉积上TCO膜层，得到所述透明导电薄膜。
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