[发明专利]全集成的雪崩光电二极管接收器在审
| 申请号： | 201711408329.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108305882A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 黄梦园;苏宗一;栗粟;张乃川;蔡鹏飞;陈旺;洪菁吟;潘栋 | 申请（专利权）人： | 硅光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144;H01L31/107;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京京万通知识产权代理有限公司 11440 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明公开了完全集成的雪崩光电二极管接收器的各种实施例及其制造方法。光子器件包括其中具有埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)衬底、与SOI衬底集成的雪崩光电二极管、与SOI衬底集成的电容器、与SOI衬底集成的电阻器、硅无源波导以及与SOI衬底集成的接合焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 雪崩光电二极管 接收器 电容器 绝缘体上硅 光子器件 接合焊盘 埋氧化层 电阻器 全集成 源波导 硅无 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光子器件，包括：其中具有埋氧化层(BOX)的绝缘体上硅(SOI)衬底；与所述SOI衬底集成的雪崩光电二极管；与所述SOI衬底集成的电容器；与所述SOI衬底集成的电阻器；一个或多个硅无源波导；和与所述SOI衬底集成的一个或多个接合焊盘。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
