[发明专利]微米级厚度晶片承载台有效
| 申请号： | 201711404483.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108039334B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 卓世异;刘学超;严成锋;黄维;陈卫宾;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，从该承载台的顶面向下方形成台阶，在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面，还具备三个以上凹槽，所述凹槽以如下形式设置：使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口，同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口，所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 厚度 晶片 承载 | ||
【主权项】：
1.一种微米级厚度晶片承载台，其特征在于，所述承载台整体为圆筒形；在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，从该承载台的顶面向下方形成台阶，在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面，还具备三个以上凹槽，所述凹槽以如下形式设置：使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口，同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口，所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711404483.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多方位角度测量仪
- 下一篇：一种标准化移动式轻钢生产线及其自适应送料方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
