[发明专利]微米级厚度晶片承载台有效
申请号: | 201711404483.1 | 申请日: | 2017-12-22 |
公开(公告)号: | CN108039334B | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 卓世异;刘学超;严成锋;黄维;陈卫宾;孔海宽;施尔畏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微米 厚度 晶片 承载 | ||
本发明提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米级厚度晶片承载台。所述承载台整体为圆筒形;在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处,从该承载台的顶面向下方形成台阶,在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面,还具备三个以上凹槽,所述凹槽以如下形式设置:使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口,同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口,所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差。
技术领域
本发明涉及厚度满足微米量级的半导体晶片或玻璃片加工领域,具体涉及一种微米级厚度晶片承载台。
背景技术
半导体晶片的加工一般包括切割、减薄、抛光、清洗以及效果检测等工序,各个工序通常都是在不同的工位上完成。也即,半导体晶片在加工过程中需要在不同的工位之间进行流转。同时,半导体晶片尤其是精细加工后厚度达微米量级的晶片具有可视尺度小、夹持困难、脆性大、表面粘附效应强等特点。如果在流转过程中不对其进行保护则会直接影响到晶片的成品率和后续器件的性能。因此,半导体晶片在加工中工序之间的放置、转运需要借助专门的装置来完成。
目前,辅助完成半导体晶片在加工工序之间流转过程中的放置、转运步骤的装置主要包括盒状、板状、台状三种。
例如,授权公告号为CN204668284U的专利公开了一种晶片放置盒。该晶片放置盒包括壳体,在壳体的左右两侧各设有十根以上的棱柱,每两根相邻的棱柱形成一个U型导向槽口,左侧壁上的U型导向槽口与右侧壁上的U型导向槽口一一对应并形成可供晶片放置的插槽,同时在每个插槽的底部连有拉绳。该晶片放置盒通过设置拉绳使得拿取晶片更为容易,且不影响周围的晶片。
授权公告号为CN202067784U的实用新型专利公开了一种晶片承载板。该晶片承载板是在上表面设计为至少一晶片放置区和至少一空白区。晶片放置区具有多个晶片放置槽,空白区设置有标记,不同的放置槽与标记一一对应。通过该晶片承载板的设计能够有效避免发生晶片放置中计数错误的问题。
授权公告号为CN204966460U的实用新型专利公开了一种晶片放置台。该晶片放置台包括矩形的底板,底板同一面相邻的两边分别设有挡板,两块挡板均与底板垂直,两块挡板在直角处相连,两块挡板的长度分别等于与其相连的底板边长,未设有挡板的两边为敞口,两块挡板夹角对侧底板的厚度大于两块挡板夹角处底板的厚度。通过该晶片承载台的设计,可使放置的晶片重量向后部倾斜,避免了晶片滑落摔碎的风险。
然而,采用现有的晶片承载装置来放置厚度小至微米量级的半导体晶片存在一些弊端。主要表现在:(1)当晶片厚度达到微米量级后由于其厚度可视尺度小,与面直径相比太小,难以实现竖直状态的夹持,采用上述专利中的盒状装置以及板状装置难以实现半导体晶片的竖直放置;(2)当晶片厚度达到微米量级后由于其表面精细抛光使得表面粘附性较强,采用上述台状装置会导致晶片表面的粘污吸附与物理吸附,一方面会污染晶片表面,另一方面也会导致晶片难以取出。
基于上述分析,适用于微米量级厚度晶片的承载台,为了实现对半导体晶片在加工中工序之间的放置、转运步骤中的保护,需满足两个方面的需求:(1)实现小厚度尺度晶片的固定放置,晶片在放置台上不易滑动,同时提供必要的支撑防止其碎裂;(2)实现精细处理表面晶片的抗吸附放置,晶片尽可能少地与放置台接触,接触部通常要小于晶片直径的10%。
发明内容
本发明的目的是提供一种可以实现对厚度在微米量级的晶片的承载和保护、特别适用于晶片加工及质检生产中一个工序完成后晶片的放置和转运中的保护的微米厚度晶片承载台。
一种微米级厚度晶片承载台,
所述承载台整体为圆筒形;
在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处,从该承载台的顶面向下方形成台阶,
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所,未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711404483.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多方位角度测量仪
- 下一篇:一种标准化移动式轻钢生产线及其自适应送料方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造