[发明专利]微米级厚度晶片承载台有效
| 申请号： | 201711404483.1 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108039334B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 卓世异;刘学超;严成锋;黄维;陈卫宾;孔海宽;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微米 厚度 晶片 承载 | ||
【权利要求书】：
1.一种微米级厚度晶片承载台，其特征在于，
所述承载台整体为圆筒形；
在从所述承载台的边缘向内圆方向离开一定距离处，从该承载台的顶面向下方形成台阶，
在所述台阶的中央向下形成凹陷并在台阶顶部形成用于载置晶片的环形表面，
还具备三个以上凹槽，所述凹槽以如下形式设置：使所述承载台的所述顶面以及所述环形表面具有一定宽度的开口，同时使所述承载台的侧面具有一定深度的开口，所述承载台的侧面的所述开口的深度大于所述环形表面与所述承载台的所述顶部的高度差；
所述台阶的中心还设置有垂直并向上方延伸，高度与所述环形表面高度相同的立柱；
所述凹陷是从所述环形表面的内圈延伸至所述台阶的中心的弧面；
所述凹槽从所述承载台的边缘开始经所述弧面延伸至所述立柱，且所述凹槽为从正上方观察时外宽内窄的楔形结构。
2.根据权利要求1所述的微米级厚度晶片承载台，其特征在于，
所述环形表面的宽度小于所述台阶的外边缘直径的5%。
3.根据权利要求1或2所述的微米级厚度晶片承载台，其特征在于，
所述环形表面作抛光处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
