[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置在审
| 申请号： | 201711403931.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110061A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 罗浩;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低温多晶硅晶体管及其制作方法和显示装置，制作方法包括如下步骤：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述有源层上形成掺杂层；在所述缓冲层和所述掺杂层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成层间绝缘层；在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上依次形成相互连通的第一过孔和第二过孔；在所述第一过孔和所述第二过孔内形成源/漏极并与所述掺杂层连接。采用上述制作方法获得的低温多晶硅薄膜晶体管，具有将刻蚀过程中产生SiOx的残留物阻挡的掺杂层，无需湿法刻蚀去除SiOx，省去了对湿法刻蚀产生的化学废液进行处理的工序，从而降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂层 栅极绝缘层 缓冲层 低温多晶硅薄膜晶体管 湿法刻蚀 显示装置 制作 源层 绝缘层 层间绝缘层 低温多晶硅 化学废液 刻蚀过程 源/漏极 晶体管 基板 去除 生产成本 连通 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；形成于所述基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的有源层；形成于所述有源层上的掺杂层；形成于所述掺杂层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅极；形成于所述栅极上的层间绝缘层；所述栅极绝缘层开设有第一过孔，所述层间绝缘层开设有第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通；形成于所述第一过孔和所述第二过孔内的源/漏极。
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