[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置

说明书

一种低温多晶硅晶体管及其制作方法和显示装置，制作方法包括如下步骤：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述有源层上形成掺杂层；在所述缓冲层和所述掺杂层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成层间绝缘层；在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上依次形成相互连通的第一过孔和第二过孔；在所述第一过孔和所述第二过孔内形成源/漏极并与所述掺杂层连接。采用上述制作方法获得的低温多晶硅薄膜晶体管，具有将刻蚀过程中产生SiOx的残留物阻挡的掺杂层，无需湿法刻蚀去除SiOx，省去了对湿法刻蚀产生的化学废液进行处理的工序，从而降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及显示装置制作技术领域，特别是涉及低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法。

背景技术

随着液晶显示屏幕的发展，超薄、重量轻、低功耗的屏幕需求不断被提出。其中，由LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低温多晶硅)薄膜晶体管制作的屏幕因其色域广、对比度高、分辨率高、轻薄、功耗低、响应速度快及具有柔韧性等传统液晶显示屏难以做到的优点，得到了市场和行业内的高度关注，其电子迁移率可以达到200cm2/V-sec以上，远远超过传统的非晶硅薄膜晶体管，其具有高开口率、高亮度、低功耗，并可以集成部分驱动电路于玻璃基本上等优点，成为当前高端显示屏幕的主流技术。

传统的低温多晶硅薄膜晶体管由于在形成源漏极之前，需要对绝缘层进行刻蚀操作以获得过孔，将源漏极设置于过孔内并与有源层连接，形成过孔结构的过程中使用的刻蚀步骤为先进行干法刻蚀，干法刻蚀过程中会在有源层上残留SiOx物质，之后湿法刻蚀清除残留的SiOx，上述操作方法步骤繁杂，而且湿法刻蚀操作中会产生较多化学废液，而化学废液需要处理完成后才能排放，对化学废液的处理增加生产成本。

发明内容

基于此，有必要提供一种操作简单且降低生产成本的低温多晶硅薄膜晶体管制作方法及采用上述低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法获得的显示装置。

一种低温多晶硅薄膜晶体管，包括：基板；形成于所述基板上的缓冲层；形成于所述缓冲层上的有源层；形成于所述有源层上的掺杂层；形成于所述掺杂层上的栅极绝缘层；形成于所述栅极绝缘层上的栅极；形成于所述栅极上的层间绝缘层；所述栅极绝缘层开设有第一过孔，所述层间绝缘层开设有第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通；形成于所述第一过孔和所述第二过孔内的源/漏极。

在其中一个实施例中，所述掺杂层包括两个掺杂单元，一所述掺杂单元与源极连接，另一所述掺杂单元与漏极连接。

在其中一个实施例中，所述掺杂层的材质包括非晶硅。

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成有源层；在所述有源层上形成掺杂层；在所述缓冲层和所述掺杂层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成栅极；在所述栅极上形成层间绝缘层；在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上依次形成相互连通的第一过孔和第二过孔；在所述第一过孔和所述第二过孔内形成源/漏极并与所述掺杂层连接。

在其中一个实施例中，采用光刻胶剥离法在所述有源层上形成掺杂层。

在其中一个实施例中，采用光刻胶剥离法在所述有源层上形成掺杂层。

在其中一个实施例中，所述掺杂层的材质包括非晶硅。

在其中一个实施例中，所述在所述有源层上形成掺杂层之后，还包括如下步骤：对所述掺杂层进行N型重掺杂。

在其中一个实施例中，所述在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上形成过孔的步骤包括：