[发明专利]低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法和显示装置在审
| 申请号： | 201711403931.6 | 申请日： | 2017-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108110061A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 罗浩;张毅先;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 叶剑 |
| 地址： | 516029 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂层 栅极绝缘层 缓冲层 低温多晶硅薄膜晶体管 湿法刻蚀 显示装置 制作 源层 绝缘层 层间绝缘层 低温多晶硅 化学废液 刻蚀过程 源/漏极 晶体管 基板 去除 生产成本 连通 阻挡 | ||
1.一种低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基板；
形成于所述基板上的缓冲层；
形成于所述缓冲层上的有源层；
形成于所述有源层上的掺杂层；
形成于所述掺杂层上的栅极绝缘层；
形成于所述栅极绝缘层上的栅极；
形成于所述栅极上的层间绝缘层；
所述栅极绝缘层开设有第一过孔，所述层间绝缘层开设有第二过孔，所述第一过孔和所述第二过孔连通；
形成于所述第一过孔和所述第二过孔内的源/漏极。
2.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层包括两个掺杂单元，一所述掺杂单元与源极连接，另一所述掺杂单元与漏极连接。
3.根据权利要求1所述的低温多晶硅薄膜晶体管，其特征在于，所述掺杂层的材质包括非晶硅。
4.一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上形成缓冲层；
在所述缓冲层上形成有源层；
在所述有源层上形成掺杂层；
在所述缓冲层和所述掺杂层上形成栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成栅极；
在所述栅极上形成层间绝缘层；
在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上依次形成相互连通的第一过孔和第二过孔；
在所述第一过孔和所述第二过孔内形成源/漏极并与所述掺杂层连接。
5.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用光刻胶剥离法在所述有源层上形成掺杂层。
6.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，采用金属网格法在所述有源层上形成掺杂层。
7.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述掺杂层的材质包括非晶硅。
8.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述有源层上形成掺杂层之后，还包括如下步骤：
对所述掺杂层进行N型重掺杂。
9.根据权利要求4所述的低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层上形成过孔的步骤包括：
采用干法刻蚀对所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层进行刻蚀处理，在所述栅极绝缘层和所述层间绝缘层依次形成所述第一过孔和所述第二过孔。
10.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求4至9中任一项所述制作方法制作得到的低温多晶硅薄膜晶体管以及有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阳极、阴极以及发光层，所述发光层位于所述阳极和所述阴极之间，所述有机电致发光器件的阳极与所述低温多晶硅薄膜晶体管的源/漏极连接。
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