[发明专利]一种扇出型晶圆级封装结构及方法

摘要

本发明提供一种扇出型晶圆级封装结构及方法，至少包括：重新布线层；形成于所述重新布线层上表面的金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；形成于所述重新布线层上表面的非导电柔性层；倒置于非导电柔性层上表面的至少一个芯片，芯片与金属凸块键合电连线路穿过所述非导电柔性层；形成于所述非导电柔性层上表面且封装所述芯片的塑封层。由于本发明的非导电柔性层在压力下具有形变的功能，因此，当在非导电柔性层上键合多个不同类型、不同高度的芯片时，在向下的压力下，非导电柔性层会产生形变，使嵌在其中的金属凸块暴露出，从而可以采用同一工艺一次将所有的芯片与各自对应的金属凸块进行键合电连，不需要分开进行工艺操作，大大简化了工艺。

主权项

1.一种扇出型晶圆级封装方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：1)提供一载体，于所述载体上表面形成粘合层；2)于所述粘合层上表面形成重新布线层；3)于所述重新布线层上表面形成金属凸块，所述金属凸块与所述重新布线层电连；4)于所述重新布线层上表面形成覆盖所述金属凸块的非导电柔性层；5)提供至少一个芯片，将所述芯片倒置于所述非导电柔性层上表面，并对所述芯片施加一定的压力，使所述非导电柔性层产生形变，从而使所述芯片与所述金属凸块键合电连；6)在所述非导电柔性层上表面形成封装所述芯片的塑封层。