[发明专利]一种基于氮化铝阻挡层的GaN_HEMT器件制备方法

摘要

本发明涉及一种基于氮化铝阻挡层的GaN_HEMT器件制备方法，包括以下步骤：a1、欧姆接触制备；a2、有源区隔离；a3、氮化铝阻挡层淀积：在上述完成有源区隔离的晶圆上淀积氮化铝阻挡层；a4、表面钝化层淀积：在上述完成氮化铝阻挡层淀积的晶圆上继续淀积表面钝化层；a5、栅极接触开孔；a6、氮化铝阻挡层移除；a7、栅极金属制备；a8、电极加厚及金属互联。本发明将氮化铝阻挡层插入到GaN表面与钝化层之间，在进行T型栅极制备的过程中，先通过干法刻蚀的方法刻蚀表面钝化层，再使用较为简便的湿法腐蚀方法移除氮化铝层，实现栅极区域的开孔，而刻蚀对于氮化铝的高选择性，刻蚀能够自动停止在氮化铝之上，同时氮化铝能够阻挡刻蚀时对GaN表面的损伤。

主权项

一种基于氮化铝阻挡层的GaN_HEMT器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a1、欧姆接触制备：在GaN HEMT结构上进行欧姆接触制备形成源、漏极区域；a2、有源区隔离：在上述制备好源漏欧姆接触电极的晶圆上，进行有源区隔离；a3、氮化铝阻挡层淀积：在上述完成有源区隔离的晶圆上淀积氮化铝阻挡层；a4、表面钝化层淀积：在上述完成氮化铝阻挡层淀积的晶圆上继续淀积表面钝化层；a5、栅极接触开孔：在上述完成表面钝化层淀积的晶圆上，以光刻胶作为刻蚀掩膜，使用干法或湿法刻蚀方法移除栅极区域的表面钝化层；a6、氮化铝阻挡层移除：在上述完成栅极接触开孔的晶圆上，使用湿法腐蚀移除栅极区域的氮化铝阻挡层；a7、栅极金属制备：在上述完成氮化铝阻挡层移除的晶圆上，通过光刻显影打开栅极区域的栅极通孔，电子束蒸发栅极金属，其厚度为50‑500nm，湿法剥离形成器件栅极；a8、电极加厚及金属互联：在上述完成栅极金属制备的晶圆上，通过光刻显影、干法刻蚀打开源、漏极通孔，通过光刻显影打开栅、源、漏极区域，电子束蒸发电极金属，其厚度为50‑500nm，湿法剥离形成器件电极。