[发明专利]三维存储器控制电路有效
| 申请号： | 201711385604.2 | 申请日： | 2012-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN107863122B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | M.海姆;J.S.霍伊;D.阮;A.叶 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C7/10 | 分类号： | G11C7/10;G11C7/18;G11C8/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路包括存储器阵列、分成至少两个子电路以控制存储器阵列的字线电路、和分成至少两个子电路以控制存储器阵列的位线电路。字线子电路和位线子电路至少部分地重叠存储器阵列的单独的各自区域。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 控制电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：具有在X维和Y维中延伸的背表面的衬底；三维存储器阵列，包括从所述衬底的所述背表面在Z方向延伸的纵向存储器单元；第一控制电路，建立在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的第一象限之下；第一组控制线，耦合到所述第一控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第一象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的第二象限，其中所述第一组控制线通过穿过所述Z方向中的所述三维存储器阵列的至少一个层面的通路来耦合到所述第一控制电路；第二控制电路，建立在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的所述第二象限之下；以及第二组控制线，耦合到所述第二控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第二象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的第三象限。
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