[发明专利]三维存储器控制电路

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

具有在X维和Y维中延伸的背表面的衬底；

三维存储器阵列，包括从所述衬底的所述背表面在Z方向延伸的纵向存储器单元；

第一控制电路，构建在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的第一象限之下；

第一组控制线，耦合到所述第一控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第一象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的第二象限，其中所述第一组控制线通过在所述Z方向上穿过所述三维存储器阵列的至少一个层面的通孔来耦合到所述第一控制电路；

第二控制电路，构建在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的所述第二象限之下；以及

第二组控制线，耦合到所述第二控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第二象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的第三象限。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一组控制线基本上垂直于所述第二组控制线。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中所述纵向存储器单元包括NAND存储器单元、浮栅闪速存储器单元、电荷俘获闪速存储器单元、相变存储器单元、电阻式存储器单元或者双向存储器单元。

4.如权利要求1所述的集成电路，其中纵向存储器单元的所述三维存储器阵列包括：

硅体，耦合到在所述硅体底部部分的源极线和在所述硅体顶部部分的位线；

源极控制栅，由源极控制线来控制；以及

漏极控制栅，由漏极控制线来控制。

5.如权利要求4所述的集成电路，包括：

所述第一组控制线是字线；以及

所述三维存储器阵列包括数量为N的纵向存储器单元，每个所述纵向存储器单元耦合到所述字线中的至少一个字线。

6.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一控制电路包括线驱动器电路。

7.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第二控制电路包括读出放大器电路。

8.如权利要求1所述的集成电路，其中所述第一控制电路的大部分位于所述三维存储器阵列的所述第一象限之下。

9.如权利要求1所述的集成电路，包括通过互连耦合到所述第二控制电路的所述第二组控制线，所述第二组控制线通过在所述Z方向上穿过所述三维存储器阵列的至少一个层面的通孔来耦合到所述互连。

10.如权利要求1所述的集成电路，进一步包括：

第三控制电路，构建在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的所述第三象限之下；

第三组控制线，耦合到所述第三控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第三象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的第四象限，其中所述第三组控制线通过在所述Z方向上穿过所述三维存储器阵列的至少一个层面的通孔来耦合到所述第三控制电路；

第四控制电路，构建在所述衬底上并至少部分地位于所述三维存储器阵列的所述第四象限之下；以及

第四组控制线，耦合到所述第四控制电路、耦合到所述三维存储器阵列的所述第四象限、并且耦合到所述三维存储器阵列的所述第一象限。

11.如权利要求10所述的集成电路，其中所述第一组控制线基本上平行于所述第三组控制线，并且基本上垂直于所述第二组和第四组控制线。

12.如权利要求10所述的集成电路，包括：

所述第一组控制线和所述第三组控制线是字线；以及

所述第二组控制线和所述第四组控制线是位线。

13.如权利要求12所述的集成电路，包括：

所述第一控制电路和所述第三控制电路是线驱动器电路；以及

所述第二控制电路和所述第四控制电路是读出放大器电路。