[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法，抑制在向半导体基板的表面照射光来激活杂质时半导体基板背面的温度上升。在光吸收层形成工序中，在具有表面和背面的半导体基板的表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层。在此，以使光吸收层分布在比背面接近表面的范围内的方式形成光吸收层。在高浓度层形成工序中，通过向半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层。在加热工序中，通过对高浓度层进行加热而激活高浓度层内的杂质。光吸收层形成工序和高浓度层形成工序以使光吸收层与高浓度层至少局部重叠的方式实施。在对高浓度层进行加热的工序中，通过从表面侧朝着高浓度层照射光而对高浓度层进行加热。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：在具有表面和背面的半导体基板的所述表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层的工序，以在形成了所述光吸收层之后的所述半导体基板中所述光吸收层分布在比所述背面靠近所述表面的范围内的方式来形成所述光吸收层；通过向所述半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层的工序；及通过对所述高浓度层进行加热而激活所述高浓度层内的杂质的工序，形成所述光吸收层的工序和形成所述高浓度层的工序以使所述光吸收层与所述高浓度层至少局部重叠的方式实施，在对所述高浓度层进行加热的工序中，通过从所述表面侧朝着所述高浓度层照射光而对所述高浓度层进行加热。