[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供一种半导体装置的制造方法，抑制在向半导体基板的表面照射光来激活杂质时半导体基板背面的温度上升。在光吸收层形成工序中，在具有表面和背面的半导体基板的表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层。在此，以使光吸收层分布在比背面接近表面的范围内的方式形成光吸收层。在高浓度层形成工序中，通过向半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层。在加热工序中，通过对高浓度层进行加热而激活高浓度层内的杂质。光吸收层形成工序和高浓度层形成工序以使光吸收层与高浓度层至少局部重叠的方式实施。在对高浓度层进行加热的工序中，通过从表面侧朝着高浓度层照射光而对高浓度层进行加热。

技术领域

本说明书公开的技术涉及半导体装置的制造方法。

背景技术

专利文献1公开了一种技术，向半导体基板的表面注入杂质，然后向该表面照射激光，由此激活注入到半导体基板上的杂质。而且，在该技术中，通过向半导体基板的表面照射脉冲宽度不同的两种激光，来抑制半导体基板的背面(被照射光的半导体基板的与表面相反一侧的面)的温度上升。

在先技术文献

专利文献1：日本特开2014-036110号公报

发明内容

发明要解决的课题

近年来，半导体基板越发薄型化。因此，在通过照射光来激活半导体基板内的杂质时，背面的温度容易上升。因此，在本说明书中，提供另一种技术，在向半导体基板的表面照射光来激活杂质时，能够良好地抑制半导体基板的背面的温度上升。

用于解决课题的方案

本说明书公开的半导体装置的制造方法具有光吸收层形成工序、高浓度层形成工序及加热工序。在上述光吸收层形成工序中，在具有表面和背面的半导体基板的上述表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层。在此，以在形成了上述光吸收层之后的上述半导体基板中上述光吸收层分布在比上述背面接近上述表面的范围内的方式来形成上述光吸收层。在上述高浓度层形成工序中，通过向上述半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层。在上述加热工序中，通过对上述高浓度层进行加热而激活上述高浓度层内的杂质。上述光吸收层形成工序和上述高浓度层形成工序以使上述光吸收层与上述高浓度层至少局部重叠的方式实施。在对上述高浓度层进行加热的工序中，通过从上述表面侧朝着上述高浓度层照射光而对上述高浓度层进行加热。

另外，光吸收层可以形成在原来的半导体基板(形成光吸收层之前的半导体基板)的表面上，也可以形成在原来的半导体基板的内部。在原来的半导体基板的表面上形成光吸收层的情况下，将光吸收层和原来的半导体基板整体称为形成了光吸收层之后的半导体基板。即，形成了光吸收层之后的半导体基板包含光吸收层。

另外，光吸收层形成工序和高浓度层形成工序哪个先实施均可。在光吸收层形成工序之后实施高浓度层形成工序的情况下，高浓度层只要是与光吸收层至少局部重叠的范围即可，可以形成于任意范围。例如，高浓度层可以仅形成于光吸收层的内部，高浓度层也可以横跨光吸收层的内部和外部地形成。而且，在高浓度层形成工序之后实施光吸收层形成工序的情况下，光吸收层只要是与高浓度层至少局部重叠的范围即可，可以形成于任意范围。例如，光吸收层可以仅形成于高浓度层的内部，光吸收层也可以横跨高浓度层的内部和外部地形成。

在该制造方法中，在加热工序中，从半导体基板的表面侧朝着高浓度层照射光。照射的光在光吸收层中被高效地吸收，光吸收层被高效地加热。由于光吸收层与高浓度层至少局部重叠，因此高浓度层也被高效地加热。这样，高浓度层被高效地加热，激活了高浓度层内的杂质。而且，光吸收层中的光的吸收率高，因此到达比光吸收层靠背面侧的位置的光较少。因此，抑制了比光吸收层靠背面侧的位置的温度上升。因此，能抑制半导体基板的背面的温度上升。因此，根据该制造方法，能够在抑制背面的温度上升的同时，激活高浓度层内的杂质。

附图说明

图1是半导体装置的剖视图。