[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201711383678.2 | 申请日： | 2017-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108321082A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 西胁刚 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/268 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 苏卉;高培培 |
| 地址： | 日本爱知*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高浓度层 光吸收层 半导体基板 形成工序 加热 半导体装置 光吸收率 激活 相邻半导体 表面照射 加热工序 局部重叠 照射光 背面 制造 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
在具有表面和背面的半导体基板的所述表面上或内部形成光吸收率高于相邻半导体层的光吸收率的光吸收层的工序，以在形成了所述光吸收层之后的所述半导体基板中所述光吸收层分布在比所述背面靠近所述表面的范围内的方式来形成所述光吸收层；
通过向所述半导体基板注入杂质而形成杂质浓度上升的高浓度层的工序；及
通过对所述高浓度层进行加热而激活所述高浓度层内的杂质的工序，
形成所述光吸收层的工序和形成所述高浓度层的工序以使所述光吸收层与所述高浓度层至少局部重叠的方式实施，
在对所述高浓度层进行加热的工序中，通过从所述表面侧朝着所述高浓度层照射光而对所述高浓度层进行加热。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述高浓度层具有主要层，所述主要层具有所述高浓度层的杂质浓度上升量的峰值的10％以上的杂质浓度上升量，
形成所述光吸收层的工序和形成所述高浓度层的工序以使所述光吸收层与所述主要层至少局部重叠的方式实施。
3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中，
形成所述光吸收层的工序和形成所述高浓度层的工序以使所述光吸收层整体位于所述主要层内的方式实施。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
形成所述光吸收层的工序和形成所述高浓度层的工序以使所述高浓度层的杂质浓度上升量的峰值的位置与所述光吸收层重叠的方式实施。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述光吸收层是通过向所述半导体基板注入非活性离子而使晶体缺陷密度上升的区域。
6.根据权利要求1～4中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述光吸收层是在形成所述光吸收层之前的所述半导体基板的表面上生长而成的非晶层。
7.根据权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其中，在对所述高浓度层进行加热的工序中，使所述光吸收层结晶。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，
所述半导体基板是硅基板，
所述光吸收层是非晶硅层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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