[发明专利]一种电极制作方法有效
| 申请号： | 201711377311.X | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107895692B | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李兵;刘亲壮;张永兴;俞娟 | 申请（专利权）人： | 淮北师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 11530 北京华识知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李浩 |
| 地址： | 235000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电极制作方法，步骤如下：将球状铟粒压扁成鼓形，鼓形铟粒的厚度由所需电极的大小决定；将鼓形铟粒的凸起边缘切去，而后切出电极粗品；将电极粗品修剪成所需电极的尺寸，并保证裁剪过程铟片的一面不要接触其它任何物体；将裁剪好的铟片转移到样品表面，铟片干净面与样品相对，而后轻压即可使两者牢固粘在一起；重复步骤二至四，依次做好四个电极；而后将四根导线一端分别压入电极。本发明操作简单，制作成本低廉，制作快速且连接可靠，电极大小可方便控制，按上述步骤制作即可，对操作人员的要求较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电极 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电极制作方法，步骤如下：/n一、将球状铟粒压扁成鼓形，鼓形铟粒的厚度由所需电极的大小决定；二、将步骤一的鼓形铟粒的凸起边缘切去，而后切出电极粗品；/n三、将步骤二的电极粗品修剪成所需电极的尺寸，并保证裁剪过程铟片的一面不要接触其它任何物体；/n四、将裁剪好的铟片转移到薄膜样品表面，铟片干净面与样品相对，而后轻压即可使两者牢固粘在一起；/n五、重复步骤二至四，依次做好四个电极；而后将四根导线一端分别压入电极；/n所述步骤二中，电极粗品的厚度为0.1mm，切割采用手术刀；/n所述步骤四中，薄膜样品的表面需使用棉签蘸取丙酮先轻轻擦拭，保持清洁；/n所述步骤五中，导线压入电极后，按步骤二至四制作铟片，覆盖在四个压入导线的电极上，防止导线脱落。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
