[发明专利]传感器及其制造方法在审
| 申请号： | 201711369992.5 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN108538928A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 高桥俊也 | 申请（专利权）人： | 欧姆龙株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市下京区*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种传感器及其制造方法。本发明的课题在于以低成本实现可靠性高的封装结构，以及将框体小型化。一种传感器，其包括包含金属的框体，所述传感器中，框体包含至少两个构件，两个构件通过接缝结构(10)而接合，并且将密封材(11)填充至接缝结构(10)的间隙的至少一部分中。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 框体 接缝结构 封装结构 接合 低成本 密封材 填充 制造 金属 | ||
【主权项】：
1.一种传感器，包括包含金属的框体，所述传感器的特征在于：所述框体包含至少两个构件，所述两个构件通过接缝结构而接合，所述接缝结构是以将所述两个构件的至少一构件的缘部卷入另一构件的缘部的方式组合而成的结构，并且将密封材填充至所述接缝结构的间隙的至少一部分中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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