[发明专利]一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法及其热系统在审
| 申请号： | 201711362118.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107955964A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 韩焕鹏;杨静;何远东;张伟才;陈晨;王雄龙;范红娜;李明佳;杨洪星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法及其热系统。该方法主要包括1、针对低氧硅单晶拉制需求，重新设计了新的非等厚度加热器和非等厚度保温层热系统结构，在强磁场拉晶条件下，可以保证足够的熔体纵向和径向温度梯度，保证晶体拉制的稳定性，同时能够降低晶体拉制的热功率。2、高磁场强度拉晶，磁场强度参数设定为1600‑1800Gs，以保证晶体的氧碳杂质含量得到有效控制，以减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成。3、掺入电中性锗元素，起到了增强硅单晶机械强度的作用，改善了单晶的加工成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 低氧 硅单晶 材料 制备 方法 及其 系统 | ||
【主权项】：
一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括：一、采用上保温层层数多于下保温层层数的热系统进行拉晶，同时将热系统中加热器的壁厚设为非等厚度，即加热器上端壁厚大于下端壁厚，用于调节整个热系统的径向和纵向温度梯度；二.使用高磁场强度拉晶，抑制熔硅热对流，磁场强度参数设定为：1600‑1800Gs，用于控制晶体的氧、碳杂质含量，以减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成；三. 在多晶硅原料中掺入一定量的电中性锗元素，掺杂量占多晶硅原料重量比的0.1‑0.5﹪，以起到增强硅单晶机械强度的作用。
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