[发明专利]一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法及其热系统在审
| 申请号： | 201711362118.9 | 申请日： | 2017-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN107955964A | 公开（公告）日： | 2018-04-24 |
| 发明（设计）人： | 韩焕鹏;杨静;何远东;张伟才;陈晨;王雄龙;范红娜;李明佳;杨洪星 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300220*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 低氧 硅单晶 材料 制备 方法 及其 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法，其特征在于，该方法包括：
一、采用上保温层层数多于下保温层层数的热系统进行拉晶，同时将热系统中加热器的壁厚设为非等厚度，即加热器上端壁厚大于下端壁厚，用于调节整个热系统的径向和纵向温度梯度；
二.使用高磁场强度拉晶，抑制熔硅热对流，磁场强度参数设定为：1600-1800Gs，用于控制晶体的氧、碳杂质含量，以减少后期单晶中氧沉淀及相关缺陷的生成；
三. 在多晶硅原料中掺入一定量的电中性锗元素，掺杂量占多晶硅原料重量比的0.1-0.5﹪，以起到增强硅单晶机械强度的作用。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS用低氧硅单晶材料的制备方法，其特征在于，在拉晶过程中，引晶速度稳定在180-360mm/h，放肩速度稳定在45mm/h，等径阶段速率为50-70mm/h。
3.一种如权利要求1所述的MEMS用低氧硅单晶材料制备方法中的热系统，其特征在于，所述热系统设有上、下保温层，上保温层（1）的碳毡层数为10-12层，下保温层（2）的碳毡层数为8-10层；所述热系统中的加热器壁厚设为非等厚度，加热器对应上保温层（1）的上部分（3）壁厚为28-32mm；对应下保温层（2）的下部分（4）壁厚为21-24mm。
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