[发明专利]半导体器件的超结结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201711354015.8 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN107910361B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市格莱特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳迈辽知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 赖耀华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的超结结构及其制作方法。所述超结结构包括N型衬底、依序形成于N型衬底上的第一P型外延、第一N型外延、第二P型外延及第二N型外延、贯穿所述第二N型外延、所述第二P型外延、所述第一N型外延及所述第一P型外延的沟槽、在所述沟槽中的N型衬底上填充的第三N型外延、在所述第三N型外延上形成的第三P型外延、在所述第三P型外延上形成第四P型外延、P型体区与栅极多晶硅结构。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的超结结构，其特征在于：所述超结结构包括N型衬底、依序形成于N型衬底上的第一P型外延、第一N型外延、第二P型外延及第二N型外延、贯穿所述第二N型外延、所述第二P型外延、所述第一N型外延及所述第一P型外延的沟槽、在所述沟槽中的N型衬底上填充的第三N型外延、在所述第三N型外延上形成的第三P型外延、在所述第三P型外延上形成第四P型外延、P型体区与栅极多晶硅结构，所述第三N型外延的厚度大于所述第一P型外延的厚度但是小于所述第一P型外延与所述第一N型外延的厚度之和，所述第三P型外延与所述第三N型外延的厚度之和小于所述第一P型外延与第一N型外延的厚度之和，所述第三N型外延、第三P型外延及第四P型外延的厚度之和小于所述第一P型外延、第一N型外延、第二P型外延及第二N型外延的厚度之和，所述第四N型外延上表面与第二N型外延上表面齐平，所述P型体区形成于所述第二P型外延上及所述第四N型外延表面。
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