[发明专利]MIM电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711354009.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108123041B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MIM电容器及其制作方法。所述MIM电容器包括绝缘介质、形成于所述绝缘介质表面的第一沟槽、形成于所述绝缘介质的第一沟槽所在一侧的表面的电容下电极、形成于所述电容下电极远离所述绝缘介质的表面的电容介质、形成于所述第一沟槽中的电容介质表面的电容上电极、形成于所述电容上电极顶部及所述电容介质表面的钝化层、贯穿所述钝化层且对应所述第一沟槽的接触孔、形成于所述接触孔及其下方的所述第一沟槽中且位于所述电容上电极表面的上电极引线结构。 | ||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种MIM电容器，其特征在于：所述MIM电容器包括绝缘介质、形成于所述绝缘介质表面的第一沟槽、形成于所述绝缘介质的第一沟槽所在一侧的表面的电容下电极、形成于所述电容下电极远离所述绝缘介质的表面的电容介质、形成于所述第一沟槽中的电容介质表面的电容上电极、形成于所述电容上电极顶部及所述电容介质表面的钝化层、贯穿所述钝化层且对应所述第一沟槽的接触孔、形成于所述接触孔及其下方的所述第一沟槽中且位于所述电容上电极表面的上电极引线结构。
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