[发明专利]MIM电容器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711354009.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108123041B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L49/02 | 分类号： | H01L49/02 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mim 电容器 及其 制作方法 | ||
1.一种MIM电容器，其特征在于：所述MIM电容器包括绝缘介质层，形成于所述绝缘介质层表面的第一沟槽，形成于所述绝缘介质层的第一沟槽所在一侧的表面的电容下电极，形成于所述电容下电极远离所述绝缘介质的表面的电容介质层，形成于所述第一沟槽中的电容介质层表面的电容上电极，形成于所述电容上电极顶部及所述电容介质层表面的钝化层，贯穿所述钝化层且对应所述第一沟槽的接触孔，形成于所述接触孔及其下方的第二沟槽中且位于所述电容上电极表面的上电极引线结构；所述电容上电极形成于所述第一沟槽内的所述电容介质层表面，且截面形状为U型；所述电容上电极的U型结构界定与所述接触孔连通的第二沟槽，所述上电极引线结构包括位于所述第二沟槽中及所述第二沟槽上方的接触孔中的第一部分、及与所述第一部分连接且位于所述钝化层上的第二部分；所述第二部分与所述第一部分构成T型，所述第一部分的宽度与所述第一沟槽宽度相等；所述第一沟槽的宽度在2um-5um的范围内，所述第一沟槽的深度在5um-50um的范围内。
2.一种MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括如下步骤：
提供绝缘介质层、在所述绝缘介质层表面的形成第一沟槽；
在所述绝缘介质层的第一沟槽所在一侧的表面形成电容下电极；
在所述电容下电极远离所述绝缘介质层的表面形成电容介质层；
在所述第一沟槽中的电容介质层表面形成上电极材料；
在所述第一沟槽中的上电极材料表面形成光刻胶；
利用所述光刻胶对所述上电极材料进行垂直刻蚀从而形成位于所述第一沟槽中的电容上电极；
在所述电容上电极顶部及所述电容介质层表面的钝化层以及形成贯穿所述钝化层的接触孔；
在所述接触孔及其下方的第二沟槽中、及所述第二沟槽两侧的电容介质层表面形成上电极引线结构；
所述电容上电极形成于所述第一沟槽内的所述电容介质层表面，且截面形状为U型；所述电容上电极的U型结构界定与所述接触孔连通的第二沟槽，所述上电极引线结构包括位于所述第二沟槽中与所述第二沟槽上方的接触孔中的第一部分、及与所述第一部分连接且位于所述钝化层上的第二部分。
3.如权利要求2所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述第二部分与所述第一部分构成T型，所述第一部分的宽度与所述第一沟槽宽度相等。
4.如权利要求2所述的MIM电容器的制作方法，其特征在于：所述第一沟槽的宽度在2um-5um的范围内，所述第一沟槽的深度在5um-50um的范围内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京溧水高新创业投资管理有限公司，未经南京溧水高新创业投资管理有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711354009.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：MIM电容器及其制作方法
- 下一篇：MIM电容器及其制作方法
