[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板

摘要

本发明涉及一种基于BJT的集成电路抗静电转接板，该转接板10包括：硅基衬底11、TSV孔12、隔离槽13、BJT14、插塞15、金属互连线16、凸点17及钝化层18；所述TSV孔12、隔离槽13及所述BJT14沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底11中；其中，所述TSV孔12中填充多晶硅材料；所述隔离槽13中填充二氧化硅材料；所述插塞15设置于所述TSV孔12与所述BJT14上下表面所述金属互连线16设置于所述TSV孔12与所述BJT14上表面的所述插塞15上；所述凸点17设置于所述TSV孔12与所述BJT14下表面的所述插塞15上；所述钝化层18设置于所述硅基衬底11上下表面。本发明提供的基于BJT的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工BJT作为ESD防护器件，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。

主权项

1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板(10)，其特征在于，包括：硅基衬底(11)、TSV孔(12)、隔离槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金属互连线(16)、凸点(17)及钝化层(18)；所述TSV孔(12)、隔离槽(13)及所述BJT(14)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔离槽(13)中填充二氧化硅材料；所述插塞(15)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)上下表面；所述金属互连线(16)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)上表面的所述插塞(15)上；所述凸点(17)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)下表面的所述插塞(15)上；所述钝化层(18)设置于所述硅基衬底(11)上下表面。