[发明专利]基于BJT的集成电路抗静电转接板有效
| 申请号： | 201711352234.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108321155B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王起;刘文新 | 申请（专利权）人： | 天水电子电器检测试验中心 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 741000 甘肃*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 bjt 集成电路 抗静电 转接 | ||
1.一种基于BJT的集成电路抗静电转接板(10)，其特征在于，包括：硅基衬底(11)、TSV孔(12)、隔离槽(13)、BJT(14)、插塞(15)、金属互连线(16)、凸点(17)及钝化层(18)；
所述TSV孔(12)、隔离槽(13)及所述BJT(14)沿横向依次间隔地设置于所述硅基衬底(11)中；其中，所述TSV孔(12)中填充多晶硅材料；所述隔离槽(13)中填充二氧化硅材料；
所述插塞(15)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)上下表面；
所述金属互连线(16)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)上表面的所述插塞(15)上；
所述凸点(17)设置于所述TSV孔(12)与所述BJT(14)下表面的所述插塞(15)上；
所述钝化层(18)设置于所述硅基衬底(11)上下表面；
所述BJT(14)的基区掺杂浓度为6×1017cm-3～1×1019cm-3；所述BJT(14)的发射区掺杂浓度为6×1020cm-3～3×102；所述BJT(14)的集电区的掺杂浓度为3×1018cm-3～5×1019cm-3；
所述金属互连线围绕成螺旋状。
2.根据权利要求1所述的转接板(10)，其特征在于，所述硅基衬底(11)的掺杂浓度为1014～1017cm-3。
3.根据权利要求1所述的转接板(10)，其特征在于，在所述TSV孔(12)中，所述多晶硅材料的掺杂浓度为3×1020cm-3～5×1021cm-3。
4.根据权利要求1所述的转接板(10)，其特征在于，所述插塞(15)为钨材料。
5.根据权利要求1所述的转接板(10)，其特征在于，所述金属互连线(16)与所述凸点(17)为铜材料。
6.根据权利要求1所述的转接板(10)，其特征在于，所述钝化层(18)为二氧化硅材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
