[发明专利]硅衬底GaN基LED外延生长方法在审
| 申请号： | 201711351075.4 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108110093A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 张勇 | 申请（专利权）人： | 佛山东燊金属制品有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/06;C30B25/18;C30B29/40 |
| 代理公司： | 佛山帮专知识产权代理事务所(普通合伙) 44387 | 代理人： | 颜春艳 |
| 地址： | 528251 广东省佛山市南海区桂城街道平胜*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种硅衬底GaN基LED外延生长方法，采用Thomas Swan的LP‑MOCVD系统，选用Si(111)为衬底，三甲基镓(TMGa)、三甲基铝(TMAl)、三甲基铟(TMIn)及高纯NH3分别为Ga、Al、In及N源，H2和N2为载气，硅烷(SiH4)和二茂镁(CP2Mg)分别为n型和p型掺杂剂；在生长前要对Si衬底进行清洗，以去除污染物和杂质，获得干净的表面。外延生长出了硅衬底GaN基LED外延片，并采用DCXRD对其结晶质量进行测试分析。结果表明：InGaN/GaN多量子阱的界面较平整,结晶质量较好；同时，采用两种方法计算获得的量子阱周期厚度基本一致。 | ||
| 搜索关键词： | 外延生长 硅衬底 衬底 量子阱周期 测试分析 三甲基铝 三甲基铟 三甲基镓 二茂镁 外延片 高纯 硅烷 载气 去除 清洗 污染物 平整 生长 | ||
【主权项】：
1.一种硅衬底GaN基LED外延生长方法，其特征在于，采用Thomas Swan的LP-MOCVD系统，选用Si(111)为衬底，三甲基镓、三甲基铝、三甲基铟及高纯NH3分别为Ga、Al、In及N源，H2和N2为载气，硅烷和二茂镁分别为n型和p型掺杂剂；在生长前要对Si衬底进行清洗，以去除污染物和杂质，获得干净的表面；外延生长过程如下：样品1先在1100℃、H2 气氛下氢化10min，以清洁硅片表面；在氢化处理后，降温到1060℃生长AlN缓冲层和高温GaN层，在高温GaN层生长过程中两次插入LT-AlN插入层；样品2仅在AlN缓冲层后原位沉积一SiN层，该SiN层作为随后高温GaN外延生长的掩膜层，可降低GaN薄膜的位错密度，其他外延条件与样品1一致，通过SiN层的生长可获得1.7μm无龟裂GaN外延层。
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