[发明专利]集成电路抗静电转接板及其制备方法在审
| 申请号： | 201711349226.2 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108054133A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 冉文方 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/768;H01L23/538;H01L27/02 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种集成电路抗静电转接板及其制备方法，制备方法包括：选取硅基衬底；在所述硅基衬底内制作TSV孔及隔离沟槽；利用二氧化硅材料填充所述隔离沟槽；利用多晶硅材料填充所述TSV孔，并引入掺杂气体对所述多晶硅材料进行原位掺杂；在所述硅基衬底第一侧制作P型区域；去除所述硅基衬底第二侧部分材料，以使所述TSV孔与所述隔离沟槽贯穿所述硅基衬底；在所述硅基衬底第二侧制作N型区域，所述P型区域、所述N型区域与位于其之间的硅基衬底形成二极管。本发明提供的集成电路抗静电转接板，通过在TSV转接板上加工ESD防护二极管，增强了层叠封装芯片的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 抗静电 转接 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路抗静电转接板的制备方法，其特征在于，包括：(a)选取硅基衬底；(b)在所述硅基衬底内制作TSV孔及隔离沟槽；(c)利用二氧化硅材料填充所述隔离沟槽；(d)利用多晶硅材料填充所述TSV孔，并引入掺杂气体对所述多晶硅材料进行原位掺杂；(e)在所述硅基衬底第一侧制作P型区域，其中，所述P型区域与所述TSV孔分别位于所述隔离沟槽两侧；(f)去除所述硅基衬底第二侧部分材料，以使所述TSV孔与所述隔离沟槽贯穿所述硅基衬底；(g)在所述硅基衬底第二侧制作N型区域，其中，所述N型区域与所述P型区域相对设置，所述P型区域、所述N型区域与位于其之间的硅基衬底形成二极管；(h)在所述硅基衬底第一侧制作金属互连线以使所述多晶硅材料与所述二极管相连接，并在所述硅基衬底第二侧的所述多晶硅材料与所述N型区域处制作铜凸点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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