[发明专利]导电薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201711347078.0 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935379B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李龙基;曹蔚然;王宇 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01B1/08 | 分类号： | H01B1/08;H01B13/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艳丽 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于材料技术领域，具体涉及一种导电薄膜及其制备方法。该导电薄膜，包括层叠设置的第一金属氧化物层、二硫醇层、Ag金属层和第二金属氧化物层；其中，所述第一金属氧化物层由第一金属氧化物组成，所述二硫醇层由二硫醇化合物组成，所述第二金属氧化物层由第二金属氧化物组成，所述二硫醇化合物通过巯基与第一金属氧化物的氧空位配位，且所述二硫醇化合物通过巯基与所述Ag金属层中的Ag原子配位。本发明的导电薄膜具有很好的透光性和导电性，可以有效取代ITO用做太阳能电池或者电致发光器件的透明电极。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠设置的第一金属氧化物层、二硫醇层、Ag金属层和第二金属氧化物层；其中，所述第一金属氧化物层由第一金属氧化物组成，所述二硫醇层由二硫醇化合物组成，所述第二金属氧化物层由第二金属氧化物组成，所述二硫醇化合物通过巯基与第一金属氧化物的氧空位配位，且所述二硫醇化合物通过巯基与所述Ag金属层中的Ag原子配位。
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