[发明专利]发光二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201711346309.6 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108538979A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 陈立宜;张珮瑜;李欣薇;张俊仪;林师勤 | 申请（专利权）人： | 美科米尚技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人： | 席勇;周勇 |
| 地址： | 萨摩亚阿庇亚*** | 国省代码： | 萨摩亚;WS |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，发光二极管制造方法，包含以下多个步骤。形成第一型半导体层。在第一型半导体层上形成第二型半导体层。掺杂杂质进入第二型半导体层的第一部位中。其中在掺杂后，存在于第二型半导体层的第一部位中的杂质的浓度大于第二型半导体层的第二部位的杂质的浓度，使得第二型半导体层的第一部位的电阻率大于第二型半导体层的第二部位的电阻率。第二部位以及第一部位的组合可以限制电流进入第一型半导体层以及第二型半导体层之间的主动层的区域，增强主动层的发光区中的电流密度，从而增进发光二极管的运行稳定性及效率。 | ||
| 搜索关键词： | 第二型半导体层 发光二极管 第一型半导体层 电阻率 主动层 制造 运行稳定性 掺杂杂质 限制电流 发光区 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包含：形成第一型半导体层；在所述第一型半导体层上形成第二型半导体层；以及植入杂质进入所述第二型半导体层的一第一部位中，其中在所述植入后，存在于所述第二型半导体层的所述第一部位中的所述杂质的浓度大于所述第二型半导体层的第二部位的所述杂质的浓度，使得所述第二型半导体层的所述第一部位的电阻率大于所述第二型半导体层的所述第二部位的电阻率。
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