[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，包含：

形成第一型半导体层；

在所述第一型半导体层上形成第二型半导体层；以及

植入杂质进入所述第二型半导体层的一第一部位中，其中在所述植入后，存在于所述第二型半导体层的所述第一部位中的所述杂质的浓度大于所述第二型半导体层的第二部位的所述杂质的浓度，使得所述第二型半导体层的所述第一部位的电阻率大于所述第二型半导体层的所述第二部位的电阻率。

2.如权利要求1所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述杂质包含硅、氧、锗、钛、或以上的组合。

3.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述植入包含离子布植程序，其中所述离子布植程序包含：

形成保护层以遮盖所述第二型半导体层的所述第二部位；以及

施加离子束至所述第二型半导体层，其中所述离子束包含硅离子、氧离子、锗离子、钛离子、或以上的组合。

4.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述植入包含后扩散所述杂质进入该第二型半导体层中。

5.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第二部位上形成保护层；以及

施加气态媒介至所述第二型半导体层以执行所述后扩散，其中所述气态媒介包含所述杂质。

6.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第二部位上形成保护层；以及

施加液态媒介至所述第二型半导体层以执行所述后扩散，其中所述液态媒介包含所述杂质。

7.如权利要求4所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述后扩散包含：

在所述第二型半导体层的所述第一部位上形成覆盖层，其中所述覆盖层包含所述杂质；以及

由所述覆盖层扩散所述杂质进入所述第二型半导体层的所述第一部位。

8.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述在所述第二型半导体层的所述第一部位形成所述覆盖层包含：

形成具有孔洞的所述覆盖层，其中所述覆盖层的所述孔洞在所述第二型半导体层上的垂直投影至少部分地与所述第二型半导体层的所述第二部位重叠。

9.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，由加热所述第二型半导体层以及所述覆盖层的组合以执行所述后扩散。

10.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

自所述第二型半导体层移除所述覆盖层。

11.如权利要求7所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

在所述第二型半导体层以及所述覆盖层的组合上形成电极层。

12.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，进一步包含：

形成连接所述第一型半导体层、所述第二型半导体层、或以上的组合的电流控制层，其中所述电流控制层具有开口，且所述开口在所述第二型半导体层上的垂直投影至少部分地与所述第二部位重叠。

13.如权利要求2所述的发光二极管制造方法，其特征在于，所述第一型半导体层为N型半导体层，所述第二型半导体层为P型半导体层，且所述发光二极管制造方法进一步包含：

在所述第一型半导体层以及所述第二型半导体层之间形成主动层。