[发明专利]一种负载开关及电子设备有效
申请号: | 201711338427.2 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN107946299B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 程剑涛;罗旭程;胡建伟 | 申请(专利权)人: | 上海艾为电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/06 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆宗力;王宝筠 |
地址: | 200233 上海市徐汇*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请提供了一种负载开关及电子设备,其中,所述负载开关的第一ESD保护支路包括ESD器件和升压ESD单元,通过ESD器件和多个串接的第二二极管使得负载开关的输入端的最高耐压值提高到了ESD器件的击穿电压与多个第二二极管的导通电压之和,同时升压ESD单元的第一支路和第二支路也分别提供了开关单元输入端正ESD能量、开关单元输入端负ESD能量和开关单元输出端正ESD能量的泄放通路,在保证对开关单元的正常ESD保护的功能的前提下,提升了开关单元的输入端和输出端的最高耐压值。 | ||
搜索关键词: | 一种 负载 开关 电子设备 | ||
【主权项】:
一种负载开关,其特征在于,包括:开关单元、第一ESD保护支路和第二ESD保护支路;其中,所述开关单元包括第一MOS管和与所述第一MOS管的栅极电连接的栅极控制电路;所述第一ESD保护支路包括串接的ESD器件和升压ESD单元,所述ESD器件远离所述升压ESD单元一端为所述第一ESD保护支路的输入端,所述第一ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输入端电连接,所述升压ESD单元远离所述ESD器件一端接地,为所述第一ESD保护支路的接地端;所述升压ESD单元包括并联的第一支路和第二支路,所述第一支路包括一个第一二极管,所述第一二极管的导通方向指向所述ESD器件,所述第二支路包括多个串接的第二二极管,所述第二二极管的导通方向指向所述第一ESD保护支路的接地端;所述第二ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输出端电连接,所述第二ESD保护支路与所述开关单元的连接节点为所述负载开关的输出端,所述第二ESD保护支路的输出端接地,所述第二ESD保护支路用于提供所述负载开关的输出端的负ESD能量的泄放通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的