[发明专利]一种负载开关及电子设备

说明书

本申请提供了一种负载开关及电子设备，其中，所述负载开关的第一ESD保护支路包括ESD器件和升压ESD单元，通过ESD器件和多个串接的第二二极管使得负载开关的输入端的最高耐压值提高到了ESD器件的击穿电压与多个第二二极管的导通电压之和，同时升压ESD单元的第一支路和第二支路也分别提供了开关单元输入端正ESD能量、开关单元输入端负ESD能量和开关单元输出端正ESD能量的泄放通路，在保证对开关单元的正常ESD保护的功能的前提下，提升了开关单元的输入端和输出端的最高耐压值。

技术领域

本申请涉及集成电路技术领域，更具体地说，涉及一种负载开关及电子设备。

背景技术

在电子系统中，负载开关(load switch)一般用于对两个端口之间进行连接或隔离，例如切断或连通电源。负载开关可以与其控制电路集成在同一片IC(IntegratedCircuit，集成电路)上，也可以是分离元件。MOSFET(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的负载开关元件。

参考图1，图1中的MOS管和栅极控制电路构成了开关单元，为了提高负载开关的ESD(Electro-Static discharge，静电释放)能力，通常需要在MOS管Q1的输入端IN和输出端OUT均串接一个接地的ESD器件，以使得在运输、使用或生产过程中产生的静电能量能够通过该ESD器件释放，避免这些能量对负载开关以及负载开关连接的元器件造成损害。ESD器件开始导通产生保护的电压称为击穿电压，那么在这种情况下，ESD器件所保护的负载开关的端口的工作电压必须低于其击穿电压，否则端口的正常工作电压会烧毁ESD器件，因此ESD器件的击穿电压限制了负载开关端口的最高耐压值，当负载开关的最高耐压值需要高于ESD器件的击穿电压时，图1所示的负载开关电路就难以满足要求。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种负载开关及电子设备，以实现提高负载开关的输入端和输出端的最高耐压值的目的。

为实现上述技术目的，本发明实施例提供了如下技术方案：

一种负载开关，包括：开关单元、第一ESD保护支路和第二ESD保护支路；其中，

所述开关单元包括第一MOS管和与所述第一MOS管的栅极电连接的栅极控制电路；

所述第一ESD保护支路包括串接的ESD器件和升压ESD单元，所述ESD器件远离所述升压ESD单元一端为所述第一ESD保护支路的输入端，所述第一ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输入端电连接，所述升压ESD单元远离所述ESD器件一端接地，为所述第一ESD保护支路的接地端；

所述升压ESD单元包括并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括一个第一二极管，所述第一二极管的导通方向指向所述ESD器件，所述第二支路包括多个串接的第二二极管，所述第二二极管的导通方向指向所述第一ESD保护支路的接地端；

所述第二ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输出端电连接，所述第二ESD保护支路与所述开关单元的连接节点为所述负载开关的输出端，所述第二ESD保护支路的输出端接地，所述第二ESD保护支路用于提供所述负载开关的输出端的负ESD能量的泄放通路。

可选的，所述第二ESD保护支路包括：

第二MOS管和第三MOS管；

或

第三二极管和第四二极管。

可选的，当所述第二ESD保护支路包括：第二MOS管和第三MOS管时，所述第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管或P型MOS管。

可选的，当所述第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管时；