[发明专利]一种负载开关及电子设备

权利要求书

1.一种负载开关，其特征在于，包括：开关单元、第一ESD保护支路和第二ESD保护支路；其中，

所述开关单元包括第一MOS管和与所述第一MOS管的栅极电连接的栅极控制电路，所述第一MOS管包括寄生二极管，所述寄生二极管的导通方向由负载开关输出端指向负载开关输入端；

所述第一ESD保护支路包括串接的ESD器件和升压ESD单元，所述ESD器件远离所述升压ESD单元一端为所述第一ESD保护支路的输入端，所述第一ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输入端电连接，所述升压ESD单元远离所述ESD器件一端接地，为所述第一ESD保护支路的接地端；

所述升压ESD单元包括并联的第一支路和第二支路，所述第一支路包括一个第一二极管，所述第一二极管的导通方向指向所述ESD器件，所述第二支路包括多个串接的第二二极管，所述第二二极管的导通方向指向所述第一ESD保护支路的接地端；

所述第二ESD保护支路的输入端与所述开关单元的输出端电连接，所述第二ESD保护支路与所述开关单元的连接节点为所述负载开关的输出端，所述第二ESD保护支路的输出端接地，所述第二ESD保护支路用于提供所述负载开关的输出端的负ESD能量的泄放通路。

2.根据权利要求1所述的负载开关，其特征在于，所述第二ESD保护支路包括：

第二MOS管和第三MOS管；

或

第三二极管和第四二极管。

3.根据权利要求2所述的负载开关，其特征在于，当所述第二ESD保护支路包括：第二MOS管和第三MOS管时，所述第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管或P型MOS管。

4.根据权利要求3所述的负载开关，其特征在于，当所述第二MOS管和第三MOS管均为N型MOS管时；

所述第二MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极电连接，并接地，所述第二MOS管的漏极为所述第二ESD保护支路的输入端，所述第二MOS管的源极与所述第三MOS管的漏极电连接；

所述第三MOS管的源极接地。

5.根据权利要求3所述的负载开关，其特征在于，当所述第二MOS管和第三MOS管均为P型MOS管时；

所述第二MOS管的栅极与所述第三MOS管的栅极电连接，并与所述第二MOS管的源极电连接，作为所述第二ESD保护支路的输入端，所述第二MOS管的漏极与所述第三MOS管的源极电连接；

所述第三MOS管的漏极接地。

6.根据权利要求2所述的负载开关，其特征在于，当所述第二ESD保护支路包括第三二极管和第四二极管时；

所述第三二极管和第四二极管依次串接，所述第三二极管的负极作为所述第二ESD保护支路的输入端，所述第四二极管的正极接地。

7.根据权利要求1所述的负载开关，其特征在于，所述ESD器件为瞬态电压抑制器或压敏电阻或聚合物ESD抑制器。

8.根据权利要求1所述的负载开关，其特征在于，当所述第一MOS管为N型MOS管时，所述第一MOS管的漏极为所述开关单元的输入端，所述第一MOS管的源极为所述开关单元的输出端；

当所述第一MOS管为P型MOS管时，所述第一MOS管的漏极为所述开关单元的输出端，所述第一MOS管的源极为所述开关单元的输入端。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：如权利要求1-8任一项所述的负载开关。