[发明专利]集成电路封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201711335299.6 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109216204B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 林俊成;郑礼辉;蔡柏豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了集成电路封装件及其形成方法。方法包括在载体上方形成导电柱。将集成电路管芯附接至载体，集成电路管芯设置为邻近导电柱。在导电柱和集成电路管芯周围形成密封剂。去除载体以暴露导电柱的第一表面和密封剂的第二表面。在第一表面和第二表面上方形成聚合物材料。固化聚合物材料以形成环形结构。环形结构的内边缘在平面图中与第一表面重叠。环形结构的外边缘在平面图中与第二表面重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 封装 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路封装件的方法，包括：在载体上方形成导电柱；将集成电路管芯附接至所述载体，所述集成电路管芯设置为邻近所述导电柱；在所述导电柱和所述集成电路管芯周围形成密封剂；去除所述载体以暴露所述导电柱的第一表面和所述密封剂的第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上方形成聚合物材料；以及固化所述聚合物材料以形成环形结构，其中，所述环形结构的内边缘在平面图中与所述第一表面重叠，并且其中，所述环形结构的外边缘在所述平面图中与所述第二表面重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
