[发明专利]一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711334271.0 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920908B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;魏峰;屠海令;张国成 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器具有类似三明治结构，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成。其制备方法包括：(1)衬底清洗；(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；(3)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积给氧牺牲氧化层；(4)利用物理气相沉积技术在给氧牺牲氧化层上面沉积活性金属薄层；(5)利用物理气相沉积技术在活性金属层上沉积惰性金属顶电极。本发明利用自然氧化界面层作为阻变存储器的转变功能层来进行阻变数据的存储，避免了界面氧化层对阻变存储器件性能的影响，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超薄 转变 功能 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超薄转变功能层的阻变存储器，具有类似三明治结构，其特征在于，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成。
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