[发明专利]一种具有超薄转变功能层的阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201711334271.0 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920908B | 公开（公告）日： | 2023-07-11 |
| 发明（设计）人： | 赵鸿滨;魏峰;屠海令;张国成 | 申请（专利权）人： | 有研工程技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H10B63/00 | 分类号： | H10B63/00;H10N70/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101407 北京市怀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超薄 转变 功能 存储器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有超薄转变功能层的阻变存储器，具有类似三明治结构，其特征在于，包括底电极、给氧牺牲氧化层、顶电极以及位于给氧牺牲氧化层和顶电极之间的转变功能层，该转变功能层通过活性金属薄层的自然氧化形成，厚度为2～10nm；
所述给氧牺牲氧化层为稀土氧化物或过渡金属氧化物，所述活性金属为Ti、Ta、Al或Cr；
给氧牺牲氧化层的制备使用物理气相沉积法，在沉积给氧牺牲氧化层的过程中不通入氧气，或者在沉积后在还原性气氛中还原，使给氧牺牲氧化层处于缺氧的状态，厚度低于20nm。
2.一种权利要求1中所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)衬底清洗；
(2)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积底电极；
(3)利用物理气相沉积技术在衬底上沉积给氧牺牲氧化层；
(4)利用物理气相沉积技术在给氧牺牲氧化层上面沉积活性金属薄层；
(5)利用物理气相沉积技术在活性金属层上沉积惰性金属顶电极。
3.根据权利要求2所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述惰性金属为Au、Pt、W或Ag。
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