[发明专利]一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法在审
| 申请号： | 201711330312.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109913812A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 孙桂红;黄乐;陈立;凌云;黄夏;祝海生;黄国兴 | 申请（专利权）人： | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/35;C23C16/40;C23C28/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其中，所述磁控溅射法包括在基材上依次磁控溅射Mo层、高温蒸镀CIGS层，并化学气相沉积法制备AZO层，其中化学气相沉积法的反应温度为400～600℃，反应1～3h，反应气压0.1～1Pa，以氧气为保护气体，以锌源为前驱物，加入铝源掺杂剂，制备AZO层。本发明采用磁控溅射与高温蒸镀结合的方法制备CIGS薄膜，制备的CIGS薄膜在电镜下观察薄膜晶体呈规则的柱状生长，晶粒大小均一，光学性能良好，界面清晰，本方法对制备环境的要求低，无需高压或催化剂，物相和形貌可控性好，成本低，产量大，对环境无危害，适合工业生产。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 磁控溅射法 化学气相沉积 磁控溅射 高温蒸 薄膜晶体 保护气体 反应气压 光学性能 形貌可控 晶粒 掺杂剂 前驱物 基材 均一 铝源 锌源 柱状 催化剂 氧气 清晰 生长 观察 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：所述磁控溅射法包括在基材上依次磁控溅射Mo层、高温蒸镀CIGS层，并化学气相沉积法制备AZO层，其中化学气相沉积法的反应温度为400～600℃，反应1～3h，反应气压0.1～1Pa，以氧气为保护气体，以锌源为前驱物，加入铝源掺杂剂，制备AZO层。
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