[发明专利]一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法在审
| 申请号： | 201711330312.9 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109913812A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 孙桂红;黄乐;陈立;凌云;黄夏;祝海生;黄国兴 | 申请（专利权）人： | 湘潭宏大真空技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/24;C23C14/35;C23C16/40;C23C28/00;H01L31/032 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 安曼 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 磁控溅射法 化学气相沉积 磁控溅射 高温蒸 薄膜晶体 保护气体 反应气压 光学性能 形貌可控 晶粒 掺杂剂 前驱物 基材 均一 铝源 锌源 柱状 催化剂 氧气 清晰 生长 观察 | ||
1.一种用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：所述磁控溅射法包括在基材上依次磁控溅射Mo层、高温蒸镀CIGS层，并化学气相沉积法制备AZO层，其中化学气相沉积法的反应温度为400～600℃，反应1～3h，反应气压0.1～1Pa，以氧气为保护气体，以锌源为前驱物，加入铝源掺杂剂，制备AZO层。
2.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：化学气相沉积法的升温方式为阶梯升温。
3.根据权利要求2所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：阶梯升温的升温速率为15℃/min。
4.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：磁控溅射化学气相沉积的保护气由氧源提供。
5.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于，锌源与铝源的配制比例为20～25:1。
6.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：Mo层的磁控溅射温度为80～120℃，溅射时间40～80min，溅射功率为50～70W。
7.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：CIGS层的真空蒸镀环境温度为至少600℃，环境气压为10-5Pa，蒸发后自然冷却至150℃左右。
8.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于，CIGS的四种元素粉末的配置比例按原子百分比为：Cu：21.65％，In：19.16％，Ga：6.12％，Se：53.08％，且Cu/(In+Ga)＝0.85，Ga/(In+Ga)＝0.24，Se/(Cu+In+Ga)＝1.13。
9.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：CIGS薄膜还包括Cds过渡层，Cds过渡层采用磁控溅射法制备，衬底温度150℃，溅射时间30min，溅射功率为40W。
10.根据权利要求1所述的用于制备CIGS薄膜的磁控溅射法，其特征在于：锌源为二乙基锌或Zn(CH3COO)2，掺杂铝源由三乙基铝、氯化铝或硝酸铝组成。
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