[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管有效
| 申请号： | 201711328190.X | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108110057B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种超结金属氧化物场效应晶体管。所述晶体管划分为有源区域及位于有源区域外围的耐压区域，所述耐压区域划分邻近所述有源区域的过渡区域及位于所述过渡区域外围的终端区域，所述晶体管还包括N型衬底、位于所述N型衬底上的N型外延层、位于所述耐压区域的N型外延层表面的P型掺杂结、位于所述过渡区域的N型外延层中的连接所述P型掺杂结底部且朝向所述N型衬底延伸的第一P型掺杂区、位于所述终端区域的P型掺杂结下方的N型外延层中的沿着平行于所述N型衬底的方向延伸的第二P型掺杂区。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述晶体管划分为有源区域及位于有源区域外围的耐压区域，所述耐压区域划分邻近所述有源区域的过渡区域及位于所述过渡区域外围的终端区域，所述晶体管还包括N型衬底、位于所述N型衬底上的N型外延层、位于所述耐压区域的N型外延层表面的P型掺杂结、位于所述过渡区域的N型外延层中的连接所述P型掺杂结底部且朝向所述N型衬底延伸的第一P型掺杂区、位于所述终端区域的P型掺杂结下方的N型外延层中的沿着平行于所述N型衬底的方向延伸的第二P型掺杂区。
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