[发明专利]超结金属氧化物场效应晶体管

权利要求书

1.一种超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述晶体管划分为有源区域及位于有源区域外围的耐压区域，所述耐压区域划分邻近所述有源区域的过渡区域及位于所述过渡区域外围的终端区域，所述晶体管还包括N型衬底、位于所述N型衬底上的N型外延层、位于所述耐压区域的N型外延层表面的P型掺杂结、位于所述过渡区域的N型外延层中的连接所述P型掺杂结底部且朝向所述N型衬底延伸的第一P型掺杂区、位于所述终端区域的P型掺杂结下方的N型外延层中的沿着平行于所述N型衬底的方向延伸的第二P型掺杂区；所述第一P型掺杂区的数量为多个，所述多个第一P型掺杂区均连接所述P型掺杂结；所述第二P型掺杂区的数量为多个，所述多个第二P型掺杂区均沿平行于所述N型衬底的方向延伸，且所述多个第二P型掺杂区的延伸长度沿着远离所述P型掺杂结的方向逐渐减小；所述多个第一P型掺杂区中，相邻两个第一P型掺杂区的间距沿远离所述有源区域的方向逐渐增大；所述有源区域包括第三P型掺杂区，邻近所述有源区域的第一P型掺杂区的P型离子浓度大于所述第三P型掺杂区的P型离子浓度；所述晶体管还包括设置于所述P型掺杂结上方的厚氧层，所述厚氧层从所述耐压区域远离所述有源区域的边缘延伸至所述过渡区域的邻近所述有源区域的第一P型掺杂区域的靠近所述终端区域的一侧边缘；所述多个第一P型掺杂区的P型离子浓度沿着远离所述有源区域的方向逐渐减小；所述多个第二P型掺杂区中延伸长度最长的第二P型掺杂区的P型离子的浓度小于所述多个第一P型掺杂区中的P型离子浓度最小的第一P型掺杂区的P型离子浓度；所述多个第二P型掺杂区的P型离子浓度沿着远离所述P型掺杂结的方向逐渐降低，且所述多个第二P型掺杂区中，相邻两个第二P型掺杂区的间距沿着远离所述P型掺杂结的方向逐渐增大。

2.如权利要求1所述的超结金属氧化物晶体管，其特征在于：所述多个第二P型掺杂区的P型离子浓度相等，且所述多个第二P型掺杂区中，任意相邻两个第二P型掺杂区的间距相等。