[发明专利]半导体器件、电子组件及方法有效

专利信息
申请号: 201711318207.3 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN108231728B 公开(公告)日: 2022-03-04
发明(设计)人: M.科茨鲍尔;J.M.S.帕耶;M.施特歇尔;A.詹克尔 申请(专利权)人: 英飞凌科技奥地利有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 申屠伟进;杜荔南
地址: 奥地利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了半导体器件、电子组件及方法。在一个实施例中,一种半导体器件包括包含接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器。所述接触衬垫包括金属基底层,布置在金属基底层上的金属扩散屏障层,以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层。金属扩散屏障层包括第一部分和第二部分。第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面。第一表面在外围处包括弯曲表面。第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度。第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
搜索关键词: 半导体器件 电子 组件 方法
【主权项】:
1.一种半导体器件,包括:包括接触衬垫的电流隔离信号传输耦合器,其中所述接触衬垫包括:金属基底层;布置在金属基底层上的金属扩散屏障层;以及布置在金属扩散屏障层上的金属线可接合层,其中,金属扩散屏障层包括第一部分、第二部分,所述第一部分具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面,第一部分的第一表面在外围处包括弯曲表面,第一部分在横向平面中延伸并且具有宽度,所述第二部分在第一部分的宽度的中间处从第二表面伸出。
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